Корейская компания Samsung анонсировала инновационный метод производства чипов оперативной памяти на основе стэковой структуры. Новая упаковка состоит из четырех модулей DDR2 DRAM по 512 Мб. Таким образом, комбинированная емкость памяти составляет 2 Гб. С использованием нового метода Samsung сможет производить даже 4-гигабайтные модули памяти, индустрия давно ждет подобного хода. Метод Samsung позволяет избавиться от необходимости оставлять пространство между чипами памяти (в этих местах пролегают соединительные каналы), что сильно экономит место на кремниевом текстолите. Модули памяти, произведенные с применением нового метода появятся в 2010 году.
