| Как сообщает источник, компания Hynix Semiconductor сообщила о том, что получила сертификацию на свою новую продукцию, модули памяти стандарта DDR3 емкостью 1 Гб, от Intel.  Новые сертифицированные 1-Гбит компоненты DDR3 SDRAM производятся по 80-нм техпроцессу. Из них собираются небуферизованные модули Unbuffered-DIMM DDR3 емкостью 1 и 2 Гб. Как и сообщалось ранее, эта память работает на частотах 800 и 1066 МГц, а ее рабочее напряжение питания 1,5 В. Тайминги 800-МГц памяти составляют 5-5-5 и 6-6-6, а для 1066-МГц модулей это уже 7-7-7. Напомним, что DDR3 потребляет энергии меньше примерно на 25%, чем DDR2 (другие производители заявляют о 40% разнице между DDR2 и DDR3).
Массовое производство 1-Гб модулей памяти стандарта DDR3 компания все также планирует начать в третьем квартале этого года. В конце 2007 года планируется перейти на 66-нм нормы производства.
| 
